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关于存储器的一些基础常识收拾

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明升
  RAM
  Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,了解上静动态首要表现是否需求改写,一般DRAM需求改写,不然数据将丢掉;SRAM的功率较好,而本钱较高,一般将SRAM作为cache运用。
  PSRAM
  Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM类似,接口和SRAM类似,具有自改写功用,不需求外部改写。而其本钱介于SRAM与DRAM之间。
  单\双端口RAM
  单端口RAM同一时刻,只能满意读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写操控等,能够一同进行两个操作,当然为防止抵触,存在必定的裁定操控,本钱也更高。伪双口RAM是只要两拜访接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。
  ROM
  Read-Only-Memory,只读存储器,一般运用时一次写好,运用时只能进行读操作,而不能进行写操作。
  CACHE
  高速缓冲存储器,因为存储器DDR/DRAM等相关于处理器拜访速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需求处理器需求拜访内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器拜访cache速度较快;但一同也需求增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。
  TCM
  Tightly-Coupled-Memory 严密耦合(链接)的存储器,是指和处理器链接严密,根本能够看做和CACHE同一等级衔接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次),其存储空间的内容不会像CACHE处理相同常常替换。
  EEPROM
  Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,掉电非易失的存储芯片,在特别高电压形式下能够插写,一般形式下只读ROM。
  FLASH
  闪存,和EEPROM相同可擦除可重写,不同EEPROM总是按字节操作,FLASH能够依照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash能够依照字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者相同能够依照字节块擦除。Nor-Flash需求支撑随机读取的地址、数据线,本钱比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入体系中刚boot需求初始化的代码需求放置在Nor-Flash中。
  关于FLASH的读取总线能够有I2C、SPI串行型,也能够选用并行Parallel;相同Flash能够和处理器集成在一同或是经过总线外部拜访。
  eMMC
  embedded multi media card,集成了NAND FLASH和操控部分的,供给像SD、TF(trans-flash)卡相同的运用接口。
  硬盘
  传统硬盘选用磁材料作为存储介质,固态硬盘运用FLASH,拜访速度功用较好。
更多请重视K4T1G084QF-BCF7:http://www.dzsc.com/ic-detail/9_5765.html
沙发
| 2019-6-18 21:51 | 只看该作者
感谢共享    项目中常用的  Nor flash    nand flash    eeprom   emmc
板凳
| 2019-6-18 21:51 | 只看该作者
仍是DDR  QDR
地板
| 2019-6-21 17:27 | 只看该作者
专业署理各类存储芯片~有需求联络 13751192923
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